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年収: 360万円〜690万円(別途残業代支給)
ネオフォトニクス・セミコンダクタ合同会社

米国に本社をおくネオフォトニクス社の100%出資の企業。光通信ネットワークによるデータの送受信に用いる「光通信用化合物半導体デバイス」の開発・製造・販売までを行っています。外資系の良さと、日本企業の良さを融合したグローバル企業であることも大きな強みです。

ネオフォトニクス・セミコンダクタ合同会社

中長期視点から需要増大に対応するため、GaAs電子デバイス・InP光デバイスの生産技術、量産工程の改善、維持管理、新製品のためのウェハプロセス開発等をご担当頂きます。 ◆GaAs担当、InP担当の2名を募集します。それぞれを担当するチーム(10名から15名程度)に所属頂きます。 ◆中長期的に、チームの中核人材になって頂くことを期待しています。このため、専門技術についてはチームリーダー等がOJTを計画して育成して行きます。20代から30代のエンジニアの他、ベテランエンジニアも多数在籍しております。また開発部署とのコミュニケーション機会も多いことから、知識や技術を吸収する機会が多くあります。 なお、第2新卒の方等ビジネス経験の浅い方に対しては、4月から社外で社会人研修を受けて頂くことも計画しています。

勤務地 東京都八王子市東浅川町550−10 ※転勤は当面なし 
応募対象 <管理番号:R2-240pq> 【必須スキル】 半導体ウェハプロセスの経験(大学のみでの経験でも可能) 【歓迎スキル】 ・GaAs電子デバイス(トランジスタ)やInP光デバイス(半導体レーザ、ホトダイオード、光変調器)のウェハプロセス開発経験 ・生産技術業務への従事経験 ・半導体工学、品質工学の知識 ・プログラミングの経験 
ネオフォトニクス・セミコンダクタ合同会社 ネオフォトニクス・セミコンダクタ合同会社 ネオフォトニクス・セミコンダクタ合同会社
年収: 800万円〜1000万円(賞与込) 月収: 51万円〜64万円 ※給与形態 月給制
ネオフォトニクス・セミコンダクタ合同会社

米国に本社をおくネオフォトニクス社の100%出資の企業。外資系の良さと、日本企業の良さを融合したグローバル企業であることも大きな強みです。 経験豊かな社員、技術者が多数在籍しており、長年この業界に携わってきた技術力を活かし、常に最先端の技術にて世界市場で競争に勝ち抜く製品を世に送り出しています。

ネオフォトニクス・セミコンダクタ合同会社

【業務内容】 ◆光通信用ICの開発、特に高速伝送用ドライバー/アンプIC開発のマネージャーを担当して頂きます。また、開発から製品化、量産フォローに関するマネージャー業務に携わっていくことが可能です。 ネオフォトニクス・セミコンダクタでは高速光通信用ICを開発しており、10〜25Gbpsといった超高速ICにおいては豊富な量産実績があります。光通信技術は目覚ましい発展を続けており、今後も更なる高速化や低消費電力化などが求められています。これらの最先端デバイスのIC開発部門のマネージャー業務に携わって頂きます。 ※上司(部長)及び部下(10名程度)は日本人ですが、海外との英語でのコミュニケーションも日常的に発生します。

勤務地 東京都八王子市東浅川町550−10 
応募対象 【必須スキル】 ・高周波用ICや高速アナログICの設計経験(5年以上の実務経験が望ましい) ・IC開発プロジェクトのマネージメント経験(3年以上の実務経験が望ましい) ・英語コミュニケーション(ビジネスレベル以上:メールコミュニケーションは、社内メールのやりとりが日々円滑にできるレベル。会話コミュニケーションは、Skypeで業務打合せ等の社内コミュニケーションが日々実施できるレベル。ただし、流暢で無くても良い。) ・日本語ネイティヴ以外の場合は、流暢な日本語コミュニケーションができることが必須。 【あればなお良いスキル】 ・高周波・高速ICの評価技術 ・ICの量産化経験、化合物半導体IC設計経験 <管理番号:R2-060pq> 
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